Advanced Reliability Testing Proven Performance. For the Future of Power Semiconductors.
DS-3TRB
1) Overview
Test Type: H3TRB (High Temperature, High Humidity, High Power Reverse Bias)
Vce Stress Voltage: 2000V (Unipolar or Bipolar) (선택 가능)
Chamber Temp: RT ~ 125 °C
Humidity Range(%RH): 25% ~ 95%
DUT Socket: User dependency (TO220, TO247 and etc).
Power Isolation 및 개별 측정 가능
Sampling Interval: ≤ 100ms (DUT)
2) Application
DS-3TRB 장비는 H3TRB(고온·고습·고전력 역바이어스) 시험 전용 장비로, FET, IGBT 등 고전압 전력반도체 소자에 고온(최대 125 °C), 고습(최대 85% RH), 고전압(최대 2500 V)의 스트레스를 인가하여, 누설 전류등의 변화를 장시간 모니터링함으로써 소자의 열화 및 장기 신뢰성을 평가하는 데 사용됩니다.
3) Description
시험 조건은 PC 기반 응용 프로그램에서 설정되며, 각 DUT의 전류, 전압(Vce, Ice)를 개별로 모니터링하고 제어합니다. 소자 열화 또는 이상 징후가 감지되면 해당 DUT만 선택적으로 차단되어, 다른 소자들의 시험에는 영향을 주지 않도록 구성되어 있습니다. 또한, 진단 시험 기능과 실시간 로그 분석을 통해 시험 상태를 모니터링하고, 시험 종료 후에는 장시간에 걸친 열화 경향 분석을 수행할 수 있어, 고온·고습 환경에서의 신뢰성 평가에 최적화된 시스템입니다.