Static System

Advanced Reliability Testing Proven Performance. For the Future of Power Semiconductors.

게시글 검색
DS-GB
2025-11-06 17:40:21

 

DS-GB  (구 DS2000L, LD, DS100GB) 

1) Overview 

Test Type: HTGB (High Temperature Gate Bias)
Vg Stress Voltage: Max +100 V (Unipolar/Bipolar , 2/4/6 Power source 선택 가능)
DUT Capacity: 40 or 20 or 6 EA/Board 선택가능 , Max 6 Slot
DUT Current Range: 0 ~ 100 µA (Accuracy ≤ 0.1 µA)
Oven Temp: RT ~ 200 °C
Socket Type: User dependency (TO220, TO247 and etc).
Real-Time Monitoring: DUT별 Vg, 전류, 온도, 파워
Power Isolation per DUT
Sampling Interval: ≤ 100ms (DUT) 


2) Application

DS-GB 장비는 Gate-Source간 고온 Gate 바이어스(HTGB) 신뢰성 시험을 수행할 수 있는 시스템으로, 소자의 누설 전류 특성을 정밀하게 측정합니다. 고온 환경(최대 200°C)에서 장시간(최대 1000시간) 동안 DUT의 열화 상태를 모니터링하여 신뢰성 확보에 활용됩니다.
 

3) Description

모든 시험 조건은 PC 기반 응용 프로그램에서 설정되며, DUT별 전압 및 전류를 개별 제어하고 실시간 측정이 가능합니다. 열화가 감지될 경우 DUT별로 전원을 차단하여 다른 소자의 시험에 영향을 주지 않도록 설계되어 있으며, 시험 중 또는 종료 후 LOG 파일 분석을 통해 시험 결과를 신속하게 평가할 수 있습니다. 자체 진단 테스트 기능으로 장비 상태도 확인 가능합니다.