DS-D3TRB

1) Overview

Test Type: Dynamic H3TRB (Dynamic High Temperature, High Humidity, High Power Reverse Bias)
Stress Voltage: Max 2000 V
Chamber Temp: RT ~ 125 °C 
Humidity Range(%RH): 25% ~ 95%
DUT Capacity: 6(Module) or 18(Discrete) EA/Board 선택가능 , Max 6 Slot
dVds/dt: ≥ 50 V/ns
Vgs Switching Frequency: 30 Hz ~ 50 kHz / Duty: 10 ~ 90 %
Vgs Control: On 12 ~ 23 V / Off -3.3 ~ -22 V
Real-Time Monitoring: Vgs or Vds 18CH/Board, Current 6CH/Board
Sampling Interval: ≤ 1 s (Board)

2) Application
DS-D3TRB 장비는 SiC 기반 전력반도체 소자에 대해 고온, 고습, 고전압 스트레스와 스위칭 스트레스를 동시에 인가하여 전계 강하 및 열화 내성에 대한 장기 신뢰성 평가를 수행합니다. ECPE AQG 324의 Dynamic H³TRB 조건에 부합하며, 특히 습도 환경에서 Drain/Collector 측 Reverse Bias와 Gate 측 반복 스위칭에 따른 degradation 분석이 가능합니다.

3) Description 
PC 기반 응용 프로그램을 통해 시험 전압, 온도, 습도, 스위칭 조건(Vgs) 등을 설정하며, 각 DUT에 대해 Vgs, Vds, Ids 개별 측정하고, 실시간으로 모니터링합니다. 빠른 dVds/dt 스트레스에 의한 소자 열화 및 Gate Oxide 손상 여부를 판단할 수 있으며, 이상 발생 시 해당 DUT만 자동 차단되어 전체 시험의 안정성을 확보할 수 있습니다.
또한, 고속 샘플링 기반의 AD 기능을 통해 시험 중 소자의 동적 스트레스를 실시간 모니터링하고, 신뢰성 분석 리포트 생성을 지원합니다.