Dynamic System

Advanced Reliability Testing Proven Performance. For the Future of Power Semiconductors.

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DS-FB
2025-11-06 15:03:19

 

DS-FB  (구 DS2000HTFB)

1) Overview


Test Type: HTFB (High Temperature Forward Bias)
Stress Voltage: Max 100 V / Stress Current: 100 ~ 200 A
Oven or ICTC Temp: RT ~ 200 °C
DUT Socket: User dependency (TO220, TO247 and etc).
Individual Chip Temperature Control (ICTC) for DUT up to 50~100W. (Device에 맞는 Socket 개발 시 제어 가능)
DUT Capacity: Max 36 EA (6 Slot × 6 DUT)
Vgs Control: On 12 ~ 23 V / Off -3.3 ~ -22 V
Monitoring Channels:
Vgs/Vds: Max 18 / Slot
Current: Max 6 / Slot
Tj/Tc: Max 6 / Slot
Sampling Interval: ≤ 1 s (Board)


2) Application

DS-FB 장비는 SiC 전력반도체 소자의 고온 순방향 바이어스(HTFB) 시험에 최적화된 장비로, 고온 동작 환경에서의 전류 특성과 열 안정성을 평가합니다. 제품의 내구성과 신뢰성 확보에 중요한 역할을 합니다.


3) Description

개별 DUT에 대해 온도 제어와 전류 인가가 가능하며, 소자에 인가되는 전압/전류를 실시간으로 측정합니다. Gate On/Off 펄스 및 Switching 동작 제어가 가능하며, 모든 시험 조건은 PC 응용 프로그램을 통해 제어됩니다. 실시간 LOG 기록을 통해 시험 중 이상 여부를 빠르게 판단할 수 있으며, 고온 환경에서 동작 특성의 열화 여부를 정량적으로 분석할 수 있습니다.