DS-DRB  (구 DS2000DRB)

1) Overview
 

Test Type: DRB (Dynamic Reverse Bias)
Stress Voltage: Max 2000 V
Oven Temp : RT ~ 200 °C
DUT Capacity: 6(Module) or 18(Discrete) EA/Board 선택가능 , Max 6 Slot
dVds/dt: ≥ 50 V/ns
Vgs Switching Frequency: 30 Hz ~ 50 kHz / Duty: 10 ~ 90 %
Vgs Control: On 12 ~ 23 V / Off -3.3 ~ -22 V
Real-Time Monitoring: Vgs or Vds 18CH/Board, Current 6CH/Board
Sampling Interval: ≤ 1 s (Board)
 

2) Application

DS-DRB 장비는 SiC 전력반도체 소자의 Drain 구조에 Dynamic Reverse Bias 스트레스를 인가하여 신뢰성을 평가합니다. ECPE AQG 324 기준을 충족하며, 빠른 전압 스윙에 대한 내성을 장시간 동안 시험할 수 있습니다.
 

3) Description

PC 응용 프로그램을 통해 Vds, Vgs, 온도 등의 시험 조건을 설정하며, Gate 및 Drain 신호를 실시간 제어 및 측정합니다. DUT의 빠른 dv/dt 변화에 대한 안정성 확인이 가능하며, 이상 발생 시 즉시 대응할 수 있도록 실시간 모니터링 및 LOG 분석 기능이 탑재되어 있습니다.