HTRB/HTGB System

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DS2000
2015-08-20 11:25:06

DS2000

1) Overview
- 1 temperature zone (up to 200’C)
- DUTs density : 12 ea/board (6 SLot).Custom design available.
- Burn-in Board size : 420mm (W) x 600mm (D)
- Oven internal Size : 720mm (W) x 700mm (D) X 800mm (H)
- All DUTs current monitor and power isolation for failed DUTs.
- DUT Current Monitor (Sampling rate) : ≤ 100ms for all DUTs
- Response time for power source isolation : ≤ 100ms
- DUT Current Reading Range : 1uA ~ 2mA
- DUT Current Reading Accuracy : ≤ ±1uA
- DUT Temperature Reading Accuracy : ≤ ±1'C @ 25'C
- DUT Current monitor graph on real time
- Set stress Voltage and Over/under voltage protection
- Powers sources : 2000V/1A (1ea), other option available
- Available socket type : TO220, TO247 and etc


2) Application
DS2000 장비는 고압 및 고전류를 사용하는 전력 반도체 소자( FET, IGBT, POWER Tr), 소신호 Tr, LED 소자등의 양산 제품 및 연구개발, 시제품 제작 단계 제품의 신뢰성 테스트를 할 수 있는 장치로써, HTRB, HTGB 및 Power Cycle 신뢰성 시험에 활용되어지는 시스템이다.

HTRB 시험은 소자의 Drain-Source간에 고온 역방향 바이어스 (High temperature reverse bias) 를 인가 후 누설 전류와 온도 변화를 장시간(1000시간) 그리고 실시간 모니터 하는 신뢰성 시험이다.
HTGB 시험은 소자의 Gate-Source간에 고온 역방향 바이어스 (High temperature reverse bias) 를 인가 후 누설 전류와 온도 변화를 장시간(1000시간) 및 실시간 모니터 하는 신뢰성 시험이다.
Power Cycle 시험은 고온동작 시험으로써, 최대 동작 전압 인가후, Gate 바이어스를 On/Off 반복하면서 동작 전류와 온도의 변화를 장시간(1000시간) 및 실시간 모니터 하는 신뢰성 시험이다.


3) Description
DS2000 장비는 HTRB, HTGB, POWER CYCLE 시험시 시험 소자의 누설전류, 동작전류, 온도등 모든 시험 조건의 설정을 PC 응용 프로그램에서 수행하며, Giga Ethernet Interface를 사용함으로써, 측정 장치와의 실시간 운용이 가능하다.

DS2000 장비는 1개의 고온 챔버를 이용하여 시험소자의 온도와 전류를 통제하며 다수의 시험 소자에 대하여 동시에 온도 및 전류 테스트가 가능하다.
시험소자의 전류와 온도를 실시간으로 개별 측정하여 디바이스의 열화 현상을 조기에 파악하고, 인가 전압을 개별로 차단함으로써 시험소자의 과도한 열화 및 열폭주 현상을 차단 할 수 있으며, 다른 시험소자의 시험을 방해하지 않고 설정 시간까지 지속적으로 시험 할 수 있으며, 시험 중 또는 시험 종료 후 log 데이터를 통해서, 시험 결과를 합리적으로 분석 할 수 있다.

시스템의 Diagnostic Test(자체 검증) 기능을 통하여 본 장치의 이상 유무를 빠른 시간에 검증 할 수 있다.